El chip, diseñado para servidores de grandes empresas, utiliza la técnica de fabricación de Samsung "a través de silicio". Eso permite a la compañía conectar chips de RAM verticalmente usando electrodos que pasan a través de agujeros en lugar del cableado más convencional que se encuentra en otras RAM. A su vez, esto permite apilar memoria en grandes pilas 3D, para exprimir más el mismo espacio.
En este caso, Samsung aprieta 144 chips, dispuestos en 36 paquetes de 4 GB, para proporcionar 128 gigabytes gloriosos de memoria. Samsung afirma que el nuevo chip "cuenta con la mayor capacidad y rendimiento energético más alto de cualquiera de los módulos DRAM de hoy". Pero también funciona a 2.400 megabits por segundo.
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